Infineon kauft Siltectra und setzt auf Cold-Split-Ansatz

Der Halbleiter-Konzern Infineon übernimmt für 124 Millionen Euro das Dresdner Startup Siltectra. Letzteres hat ein innovatives Verfahren namens Cold Split entwickelt, das zum besonders materialsparenden und effizienten Bearbeiten von Kristallen beiträgt.

Infineon beabsichtigt, die Cold-Split-Technologie zum Splitten von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern einzusetzen, wodurch nach Angaben des Unternehmens „die Anzahl der Chips aus einem Wafer verdoppelt werden kann“. SiC-Produkte kommen u.a. im Antriebsstrang von Elektroautos zum Einsatz.

Als Vertragspartner aufseiten von Siltectra agiert der Venture Capital-Investor MIG Fonds, der bisherige Haupteigner des Unternehmens. Mit diesem hat sich Infineon auf besagten Kaufpreis von 124 Millionen Euro verständigt. „Diese Akquisition wird uns dabei helfen, unser Portfolio im Bereich des neuen Materials Siliziumkarbid auszubauen“, so Infineon-Vorstandschef Dr. Reinhard Ploss. Die Cold-Split-Technologie ergänze das Systemverständnis und Know-how des Unternehmens im Bereich der Dünnwafer-Technologie. „Die höhere Verfügbarkeit von SiC-Wafern dank der Cold Split-Technologie wird das Hochfahren unserer SiC-Produkte gerade mit Blick auf den weiteren Ausbau der erneuerbaren Energien und den zunehmenden Einsatz von SiC im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen deutlich erleichtern“, resümiert Ploss.

Siltectra wurde 2010 gegründet und verfügt laut Infineon über ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Die Weiterentwicklung der Cold Split-Technologie werde am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden und am österreichischen Infineon-Standort Villach erfolgen. Infineon gibt an, das einzige Unternehmen zu sein, das weltweit bereits Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Siliziumdünnwafern im industriellen Maßstab fertigt. Diese Technik lasse sich nun auf SiC übertragen, heißt es. Eine Anwendung im industriellen Maßstab wird innerhalb der kommenden fünf Jahre angestrebt.
infineon.com