Toshiba eröffnet Hochvolt-Labor für Halbleiter

Toshiba Electronics Europe hat an seinem Standort in Düsseldorf ein neues Hochvolt-Labor in Betrieb genommen. Ein besonderes Augenmerk liegt auf den Wide-Bandgap-Halbleitern wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

Kunden sollen vor Ort Dienstleistungen wie Simulationen wichtiger Leistungselektronikdesigns oder den Entwurf von Referenzmodellen für Stromversorgungen, Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge erhalten, wie Toshiba mitteilt. Das Leistungselektroniklabor entspricht den deutschen Vorschriften wie VDE0100 und kann Tests/Messungen bis 1.500 VDC und 1.000 VAC durchführen.

Halbleiter aus Siliziumkarbid kommen bereits in ersten Elektroautos zum Einsatz. In der Leistungselektronik des E-Antriebs verkürzen sie etwa die Schaltzeiten und arbeiten dabei effizienter. So steigt nicht nur der Wirkungsgrad, sondern es entsteht auch weniger Abwärme – weshalb ein kleineres und leichteres Kühlsystem verbaut werden kann, was den Energiebedarf des Gesamtsystems weiter senkt.

Ähnliches gilt für Galliumnitrid. GaN-Transistoren können kleiner und effizienter sein. Das Potenzial haben auch andere Unternehmen erkannt: Der deutsche Zulieferer Vitesco hat im November eine Kooperation mit dem kanadischen Spezialisten GaN Systems vereinbart. Laut Vitesco können GaN-Halbleiter in der Systembetrachtung wirtschaftlicher sein als SiC-Halbleiter. Renault arbeitet mit dem Schweizer Unternehmen STMicroelectronics zusammen, das unter anderem an GaN-Technologie arbeitet.

„Die Entscheidung für die Investition ergab sich aus dem jüngsten Wachstum, den wir durch den zunehmenden Einsatz unserer Produkte sowie durch anwendungsbezogene Fragen von Kunden gesehen haben“, so Armin Derpmanns, General Manager, Semiconductor Marketing, bei Toshiba Electronics Europe. „Mit dem neuen High-Voltage-Labor lassen sich die Belange unserer Kunden nun in der eigenen Zeitzone und Sprache schneller bearbeiten.“
automobil-industrie.vogel.de, toshiba.semicon-storage.com (PDF)