STMicroelectronics mit neuen SiC-Leistungsmodulen

Das Halbleiterunternehmen STMicroelectronics hat neue Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungsmodule vorgestellt. Mit fünf neuen Modulvarianten sollen OEMs flexible Optionen geboten werden. Als erster Kunde ist die Hyundai Motor Group im Boot. Die Koreaner bauen die SiC-Technologie unter anderem im Kia EV6 ein.

Die fünf Leistungsmodule basieren auf der sogenannten SiC-MOSFET-Technologie und werden nach Angaben des Unternehmens bereits produziert. Sie unterstützen eine Bandbreite von Betriebsspannungen und stehen mit unterschiedlichen Nennleistungen zur Auswahl. Verbaut sind die Komponenten in einem Gehäuse, das sich leicht in Elektroantriebe integrieren lassen soll. Die neue Produktreihe vermarktet STMicroelectronics unter der Bezeichnung „Acepack Drive“.

Bei den verwendeten Halbleitern handelt es sich laut dem Hersteller um SiC-MOSFETs der dritten Generation („Gen3“). Sie sollen für „höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz sorgen“, wie Marco Monti, President Automotive and Discrete Group von STMicroelectronics, sagt. „Die Siliziumkarbid-Lösungen von ST ermöglichen es den großen Automobilherstellern, bei der Entwicklung künftiger Generationen von Elektrofahrzeugen das Tempo der Elektrifizierung vorzugeben.“

Als Kunden nennt die niederländische Firma mit Headquarter in der Schweiz die Hyundai Motor Group. Die Koreaner haben sich demnach dafür entschieden, die neuen Leistungsmodule von STMicroelectronics in ihrer aktuellen Elektrofahrzeugplattform E-GMP zu integrieren. Auf dieser basiert unter anderem der Kia EV6, der in der begleitenden Mitteilung explizit als Modell genannt wird, das die neuen Module an Bord haben wird.

„Die SiC-MOSFET-basierten Leistungsmodule von ST sind die richtige Wahl für unsere Traktionswechselrichter und ermöglichen eine größere Reichweite. Die Zusammenarbeit zwischen unseren beiden Unternehmen ist ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu nachhaltigeren Elektrofahrzeugen und nutzt die kontinuierlichen technologischen Investitionen von ST, um der führende Halbleiterakteur bei der Elektrifizierungsrevolution zu sein“, sagte Sang-Cheol Shin, Inverter Engineering Design Team bei der Hyundai Motor Group.

STMicroelectronics gibt an, bereits SiC-Komponenten für mehr als drei Millionen in Serie gefertigte Pkw weltweit geliefert zu haben. Mit einer kürzlich angekündigten SiC-Substratproduktionsanlage im italienischen Catania will das Unternehmen seine Fertigungskapazitäten ausweiten. Die Eröffnung des Werks ist für 2023 geplant.

Von den fünf neuen Leistungsmodulen sind nach Angaben des Herstellers drei in Serienproduktion – und zwar die 1200-Volt-Varianten namens ADP280120W3, ADP360120W3 und ADP480120W3(-L). Die zwei weiteren Varianten – die 750-Volt-Leistungsmodule ADP46075W3 und ADP61075W3 – sollen bis März 2023 in voller Produktion sein.

STMicroelectronics agiert übrigens auch als Partner von Renault. Beide Seiten verbindet seit 2021 eine strategische Zusammenarbeit. Ziel der Kooperation ist es, die Leistungsfähigkeit der Elektro- und Hybridfahrzeuge der Renault Group auf Basis der Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien von STMicroelectronics weiter auszubauen. Der Chip-Hersteller forciert unter dem Schlagwort Wide Badgap vor allem den Launch von Komponenten, die auf innovativen Materialien wie Galliumnitrid oder eben Siliziumkarbid basieren.
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