Vitesco bestellt SiC-Halbleiter im Milliardenwert bei Rohm

Der Antriebszulieferer Vitesco Technologies hat sich durch eine langfristige Partnerschaft mit Rohm Semiconductor Kapazitäten bei energieeffizienten Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid gesichert – im Wert von über einer Milliarde US-Dollar bis zum Jahr 2030.

Die 2020 begonnene Entwicklungspartnerschaft mit Rohm schuf die Grundlage für die jetzt unterzeichnete Partnerschaft, wie Vitesco mitteilt. Die Wechselrichter von Vitesco Technologies mit integrierten SiC-Chips von Rohm werden von zwei Automobilherstellern für den Einsatz in Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen übernommen. Bereits 2024 soll die Zulieferung für ein erstes Serienprojekt bei Vitesco Technologies anlaufen. Bei der Verkündung des Deals 2020 hieß es noch, dass die Produktion erst 2025 anlaufen soll. Auch Vitesco gibt an, dass man sich „sogar vor der ursprünglich angepeilten Zeitschiene“ befinde.

Für jene Serienprojekte zu den Automobil-Invertern wurden die relevanten SiC-Chips im Rahmen der erwähnten Entwicklungspartnerschaft weiter optimiert. Vitesco-CEO Andreas Wolf bezeichnet die Partnerschaft in der Mitteilung als „wichtigen Baustein zur Absicherung der SiC-Kapazitäten von Vitesco Technologies in den kommenden Jahren“. „Wir haben in der Zusammenarbeit bisher sehr gute Erfahrungen gemacht und freuen uns, diese nun nicht nur fortzusetzen, sondern auch weiter zu intensivieren“, so Wolf.

Der deutsche Antriebs-Zulieferer setzt aber nicht exklusiv auf SiC-Halbleiter von Rohm Semiconductors: Ende Mai hatte Vitesco bereits mit Onsemi ein langfristiges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Produkte im Wert von 1,75 Milliarden Euro über zehn Jahre abgeschlossen. Auch hier geht es neben dem Kauf der Halbleiter um die gemeinsame Optimierung von Antriebsinvertern.

Aber auch bei Rohm Semiconductors ist man voll des Lobes über Partner Vitesco. „Im wachstumsträchtigen Automobilmarkt ist SiC ein Wegbereiter für höhere Effizienz. Mit einem erwarteten höheren Marktanteil von über 30 Prozent sind wir hier stark aufgestellt und haben in Vitesco Technologies einen strategischen Partner für die weitere Marktdurchdringung gewonnen“, sagt Kazuhide Ino, Member of the Board, Managing Executive Officer und CFO von Rohm.

Siliziumkarbid ermöglicht mit seinen speziellen leitenden Eigenschaften die Herstellung von zugleich schnell und verlustarm schaltenden Chips für die Leistungselektronik. Gleichzeitig sind SiC-Chips thermisch widerstandsfähiger, so dass sich die Leistungsdichte einer Elektronik steigern lässt. Dank dieser Merkmale weisen SiC-Elektroniken gegenüber konventionellem Silizium (Si) verringerte Wandlungsverluste auf. Sprich: Von der im E-Auto-Akku gespeicherten Energie kommt mehr im Antrieb an – was die Reichweite erhöht oder umgekehrt bei gleicher Reichweite kleinere, leichtere und günstigere Akkus ermöglicht.
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