Japan: Rohm plant neues Werk für Chips auf SiC-Basis

Der japanische Halbleiterleiter-Hersteller Rohm Semiconductor will Ende 2024 seine bisher größte Produktionsstätte in Betrieb nehmen. Hierfür erwirbt Rohm ein bestehendes Werk des Solartechnik-Unternehmens Solar Frontier im japanischen Kunitomi. Der Kauf soll im Oktober 2023 abgeschlossen werden.

Mit der neuen Fabrik wird Rohm nach eigenen Angaben seine Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsbauelemente weiter ausbauen. Nach aktuellem Stand umfasst das Werk eine Gebäudefläche von 230.000 Quadratmetern. Einen konkreten Zielwert für den geplanten Output des Standorts nennt Rohm allerdings nicht. Wolfram Harnack, Präsident von Rohm Semiconductor Europe, äußert nur, dass die Akquisition einen schnellen Produktionsstart durch die Nutzung der vorhandenen Infrastruktur ermögliche. „So wird Rohm in der Lage sein, die stark wachsenden Bedarfe seiner Kunden weiterhin zeitnah und zuverlässig zu beliefern.“ Angestrebt ist nach Worten von Harnack, den Betrieb in Kunitomi bereits Ende 2024 aufzunehmen.

Die Halbleiter-Industrie ist weltweit im rasanten Aufbau begriffen. Allen voran aus dem Automotive- und Industriemarkt verzeichnet Rohm eine stark steigende Nachfrage – „insbesondere nach Leistungs- und Analoghalbleitern“. Die Japaner wollen deshalb ihre Produktionskapazitäten („vor allem für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid“) kontinuierlich erweitern.

Zu den hiesigen Kunden zählt Vitesco Technologies. Der Antriebszulieferer hat bei Rohm erst kürzlich SiC-Halbleiter im Milliardenwert zum Einsatz in Elektrofahrzeugen bestellt. In diesem Kontext äußerte der Chip-Hersteller, mit SiC-Halbleitern im Automobilmarkt einen Marktanteil von über 30 Prozent anzustreben.

Siliziumkarbid ermöglicht mit seinen speziellen leitenden Eigenschaften die Herstellung von zugleich schnell und verlustarm schaltenden Chips für die Leistungselektronik. Gleichzeitig sind SiC-Chips thermisch widerstandsfähiger, so dass sich die Leistungsdichte einer Elektronik steigern lässt. Dank dieser Merkmale weisen SiC-Elektroniken gegenüber konventionellem Silizium (Si) verringerte Wandlungsverluste auf. Sprich: Von der im E-Auto-Akku gespeicherten Energie kommt mehr im Antrieb an – was die Reichweite erhöht oder umgekehrt bei gleicher Reichweite kleinere, leichtere und günstigere Akkus ermöglicht.
rohm.de