Onsemi präsentiert neue SiC-Halbleiter-Generation

Die sogenannten EliteSiC M3e-MOSFETs bieten laut Onsemi außerdem den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand mit Kurzschlussfähigkeit, was für den Markt für Traktionswechselrichter entscheidend sei. In E-Fahrzeugen werden die Wechselrichter oder Inverter dazu genutzt, den Gleichstrom aus der Batterie in Wechselstrom für den oder die Elektromotoren umzuwandeln. Je geringer dabei die Wandlungsverluste und Kühlbedarfe sind, desto höher die Reichweite des Fahrzeugs bei gleicher Batteriegröße.

Ein konkretes Beispiel: Verpackt in den Leistungsmodulen von Onsemi liefert der 1200-V-M3e „wesentlich mehr Phasenstrom als die bisherige EliteSiC-Technologie“, was zu einer um 20 Prozent höheren Ausgangsleistung im gleichen Traktionswechselrichtergehäuse führen soll. Umgekehrt könne eine feste Leistungsstufe nun mit rund 20 Prozent weniger SiC-Anteil ausgelegt werden, was Kosten spart und gleichzeitig die Entwicklung kleinerer, leichterer und zuverlässigerer Systeme ermöglicht, so Onsemi.

Die neue SiC-Generation soll laut dem Unternehmen auch dazu führen, „die Leistung und Verlässlichkeit von elektrischen Systemen der nächsten Generation zu niedrigeren Kosten pro kW bereitzustellen“ – und damit in Folge nichts weniger als die „Akzeptanz und Wirksamkeit von Elektrifizierungsinitiativen beeinflussen“. Mit der Fähigkeit, bei höheren Schaltfrequenzen und Spannungen zu arbeiten und gleichzeitig die Verluste bei der Leistungsumwandlung zu minimieren, sei die Plattform „für eine breite Palette von Automobil- und Industrieanwendungen“ geeignet. Neben elektrischen Antrieben sind das etwa auch DC-Schnelllader, Solarwechselrichter und Energiespeicherlösungen. Aber auch Rechenzentren können damit effizienter werden.

„Die Zukunft der Elektrifizierung ist abhängig von fortschrittlichen Leistungshalbleitern. Die heutige Infrastruktur kann mit den Anforderungen der Welt nach mehr Intelligenz und elektrifizierter Mobilität ohne signifikante Innovationen im Bereich der Stromversorgung nicht Schritt halten. Dies ist entscheidend für die Fähigkeit, die globale Elektrifizierung zu erreichen und den Klimawandel aufzuhalten“, sagt Simon Keeton, Group President, Power Solutions Group bei Onsemi. „Wir geben das Tempo für Innovationen vor und planen, die Leistungsdichte in unserer Siliziumkarbid-Technologie-Roadmap bis 2030 deutlich zu erhöhen, um den wachsenden Energiebedarf zu decken und den globalen Übergang zur Elektrifizierung zu ermöglichen.“

Onsemi plant die beschleunigte Einführung mehrerer zukünftiger Generationen von Siliziumkarbid bis 2030. Der US-Halbleiterhersteller investiert auch in ein europäisches Werk für SiC-Halbleiter in Tschechien. Zu den Kunden von Onsemi gehören zahlreiche E-Auto-Hersteller (etwa Volkswagen, BMW,  Hyundai-Kia oder Zeekr) sowie der Antriebszulieferer Vitesco.

Quelle: Info per E-Mail (deutsche Mitteilung), onsemi.com