Infineon zeigt Chip-Innovation auf Galliumnitrid-Basis

Wie Infineon mitteilt, ist die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf den bisher geläufigen 200-Millimeter-Wafern, da der größere Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. Und: Die verwendeten Halbleiter basieren nicht auf Silizium oder Siliziumkarbid, sondern auf Galliumnitrid (GaN).

Wir erinnern uns: Infineon hat jüngst die Firma GaN Systems aufgekauft, einem kanadischen Hersteller von Halbleiter-Elementen aus Galliumnitrid. Das Material bietet laut Infineon Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eigne. Dazu zählen etwa mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.

Nun ist es Infineon also nach eigenen Angaben gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in einer bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion im österreichischen Villach herzustellen. Dazu kombinierte der Konzern seine Kompetenz in der 300-Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Im nächsten Schritt will Infineon „die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen“.

Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, spricht von einem bemerkenswerten Erfolg: „Das Ergebnis […] unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systemen. Dieser technologische Durchbruch wird die Branche verändern und uns helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschließen. Weniger als ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweisen wir erneut, dass wir entschlossen sind, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen. Infineon beherrscht als führender Anbieter von Power-Systemen alle drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.“

infineon.com